图像仅供参考，请参阅规格书
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOP-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:11 A
Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:300 mV
Vgs - 栅极-源极电压:2.5 V
Qg-栅极电荷:27 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:28.8 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:43.5 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:114 ns
典型接通延迟时间:16.2 ns
